| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 60V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 1A |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 2.2KΩ/Ohm |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 22KΩ/Ohm |
| 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio | 0.1 |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 300 |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 80MHz |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 1.5W |
| Description & Applications | Features 1) High DC current gain. (Min. 300 at Vo/ Io=2V / 0.5A) 2) Low Vo(on). (Typ. 0.4V at Io / Ii=500mA / 5mA) 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load). |
| 描述与应用 | 特性 1）高DC电流增益。 （Vo/ Io=2V/0.5A最小300） 2）低Vo（on）。 （典型0.4V@IO / II =500mA/5mA） 3）内置齐纳二极管提供了有力的保护，防止反向浪涌低负载（感性负载）。 |