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Inventory:39450 Min Order：100
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  • Model：EC3A01B-V4A-TL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：V
  • Package：ECSP1006-3

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.14~0.24ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.2~-1.2v
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•N-Channel Silicon Junction FET Features • Ultrasmall (1006 size), thin (0.5mm) leadless package. • Especially suited for use in electret condenser microphone for audio equipments and telephones. • Excellent voltage characteristics. • Excellent transient characteristics. • Adoption of FBET process.
描述与应用•N沟道硅结型场效应管 特点 •超小（1006尺寸），薄（0.5mm）的无铅封装。 特别适合使用的驻极体电容传声器的音响设备和电话。 •优秀的电压特性。 •出色的瞬态特性。 •通过过程FBET。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
EC3A01B-V4A-TL
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