Please log in first
Home
Cart0
Inventory:20000 Min Order：100
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：ECH8603-TL-E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB22639
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：JC
  • Package：ECH8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		87mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.4~-1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.3W
Description & ApplicationsP-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching • 2.5V drive.
描述与应用P-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 •低导通电阻。 •超高速开关 •2.5V驱动。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ECH8603-TL-E
*Title：
Message：
*Code：