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Inventory:180 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：FDN339AN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：339
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.035Ω/Ohm @3A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsLow gate charge (7nC typical). • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) .• High power and current handlingcapability.
描述与应用低栅极电荷（典7nC）。 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •高功率和电流处理能力

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDN339AN
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