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  • Model：FDY300NZ
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：CHD
  • Package：SOT-523

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current600mA/0.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.70Ω/Ohm 600mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation625mW/0.625W
Description & ApplicationsSingle N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v. · ESD protection diode (note 3) · RoHS Compliant
描述与应用单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET 概述 这单N沟道MOSFET已设计 采用飞兆半导体先进的功率？ 海沟过程优化的RDS（ON）@ VGS=2.5V。 ·ESD保护二极管（3） ·符合RoHS标准

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDY300NZ
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