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Inventory:3000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：HAT2206C-EL-E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：VW
  • Package：SOT-363

Drain-Source Voltage （Vds）  12V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  8V
Drain Current （Id）  2A
Drain-Source On-State （Rds）  RDS (on) = 65 mΩ typ. (at VGS = 4.5 V) 

Vgs （th）

Gate-Source Threshold Voltage

  
Power dissipation （Pd）  830MW/0.83W
Description & Applications  Silicon N Channel MOS FET 
Power Switching
• Low on-resistance 
RDS (on) = 65 mΩ typ. (at VGS = 4.5 V) 
• Low drive current. 
• High density mounting 
• 1.8 V gate drive devices.

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
HAT2206C-EL-E
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