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  • Model：IRF6607TR1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：
  • Package：MT

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current9.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance6.3Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.3-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation3.6W
Description & ApplicationsHEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
描述与应用HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 高CDV/ dt抗扰性 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面兼容 安装技术

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
IRF6607TR1
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