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Inventory:800 Min Order：10
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  • Model：IRFR9010TR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：FR9010
  • Package：TO-252/DPAK

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		±20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-5.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.5Ω @-2.7A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-2.0--4.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		25W
Description & ApplicationsP-CHANNEL POWER MOSFETS Lower Rds Improved inductive ruggedness Fast switching times Rugged polysilicon gate cell structure Lower input capacitance Extended safe operating area Improved high temperature reliability
描述与应用P沟道功率MOSFET 较低RDS 改进感性耐用 快速开关时间 细胞结构坚固的多晶硅栅 较低的输入电容 扩展安全工作区 改进高温可靠性

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
IRFR9010TR
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