Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1220 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：ISL9N315AD3ST
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：N315AD
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current30A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.012Ω/Ohm @30A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation55A
Description & ApplicationsN-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET ®Trench Power MOSFETs General Description This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies. Formerly developmental type 83337 • Fast switching
描述与应用N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET ®沟道功率MOSFET 概述 该设备采用了新的先进的沟槽MOSFET 的技术和功能，同时保持低的导通电阻低栅极电荷。 为开关应用进行了优化，该设备提高DC/ DC转换器的整体效率，并允许 较高的开关频率的操作。以前发育类型83337 快速切换

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
ISL9N315AD3ST
*Title：
Message：
*Code：