Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：L9012QLT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：1YA
  • Package：SOT-23/SC-59

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−500mA/-0.5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		150~300
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		−600mV/-0.6V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		225mW/0.225W
Description & ApplicationsPNP epitaxial planar transistor General Purpose Transistors FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
描述与应用PNP外延平面晶体管 通用晶体管 特点 我们声明，产品符合RoHS要求的材料。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
L9012QLT1
*Title：
Message：
*Code：