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Inventory:17500 Min Order：10
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  • Model：LL6263-GS08
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05NOPB 05+ROHS
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：
  • Package：SOD80/LL34

反向电压Vr
Reverse Voltage		40V
平均整流电流Io
AVerage Rectified Current		2A
最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) 		1V
最大耗散功率Pd
Power dissipation		400MW/0.4W
Description & Applications• Metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. • The low forward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for fast switching and low logic level applications. • Schottky Diodes
描述与应用•金属硅肖特基势垒装置是由一个PN结保护环保护。 •低正向压降和快速开关使其成为理想的保护MOS装置，转向，偏置和耦合二极管快速开关，低逻辑电平应用。 •肖特基二极管

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
LL6263-GS08
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