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  • Model：MGF1902B
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：GJ
  • Package：GD-16

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-6V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		-6V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		30mA-100mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		-0.3V -- -3.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		360mW/0.36W
Description & ApplicationsType carrier low noise GaAs FET S to X band low noise amplifiers and oscillators Low noise figure High associated gain
描述与应用载波低噪声砷化镓 场效应管类型 S到X波段低噪声放大器和振荡器 低噪声系数 高相关增益

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MGF1902B
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