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Inventory:3800 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：MGSF3441VT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PT
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-0.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.078 @-3A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & Applicationslow Rds small-signal MOSFETs TMOS single P-CHANNEL field effect transistors Low Rds provides higher efficienccy and extends battery life miniature TSOPE6 surface mount package saves board space
描述与应用低Rds小信号MOSFET TMOS单P沟道 场效应晶体管 低RDS提供了更高的的efficienccy，并延长电池寿命 TSOPE6微型表面贴装封装，节省了电路板空间

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
MGSF3441VT1
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