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  • Model：NE32584C-T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D
  • Package：+

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		4V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		-3V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		20mA-90mA
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		-0.2V -- -2.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		165mW/0.165W
Description & ApplicationsHETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER Super Low Noise Figure & High Associated Gain
描述与应用异质结型场效应晶体管 C到Ku波段超低噪声放大器 超级低噪声系数和高相关的收益

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NE32584C-T1
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