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Inventory:3200 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：PHD66NQ03LT
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PHD66NQ03L
  • Package：SOT-428/TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage25V
最大漏极电流Id Drain Current66A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation93W
Description & ApplicationsTrenchMOS™ Logic Level FET N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Low on-state resistance Fast switching.
描述与应用TrenchMOS™逻辑电平FET N沟道逻辑电平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS™技术。 低通态电阻 快速切换

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PHD66NQ03LT
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