集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 180MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 300 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~300mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package |
| 描述与应用 | 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大40 V）。 应用 •通用开关和放大，如 电话和专业的通信设备。 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。 |