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  • Model：PMF280UN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：F2
  • Package：SOT-323/SC-70

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current1.02A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation560mW/0.56W
Description & ApplicationsN-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Low on-state resistance n Low threshold voltage.
描述与应用N沟道μTrenchMOS™超低水平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 表面贴装封装 足迹比SOT23小40％ 低通态电阻n低阈值电压

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMF280UN
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