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Inventory:200 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：PMV65XP
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05NOPB 05+NOPB150
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WM9
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-4.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.065Ω @-1A,-4.7V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.47--0.9
耗散功率Pd
Power Dissipation		480mW/0.48W
Description & Applications20 V, single P-channel Trench MOSFET Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology
描述与应用20 V，单P沟道沟道MOSFET 低阈值电压 低通态电阻 沟道MOSFET技术

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMV65XP
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