集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 500V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 300mA/0.3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 20MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 40 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 750mV/0.75V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1.35W |
| Description & Applications | NPN high-voltage transistor FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 400 V). APPLICATIONS • Telecommunication. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT223 plastic package |
| 描述与应用 | NPN高电压晶体管 特性 •低电流(max。300毫安) •高电压(max。400 V)。 应用 •通信。 描述 在一个SOT223 NPN型高压晶体管塑料包 |