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  • Model：RK3055ETL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：2500
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：3055E
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.15Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & Applications10V Drive Nch MOSFET Silicon N-channel MOSFET Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel.
描述与应用10V驱动N沟道MOSFET 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RK3055ETL
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