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Inventory:1805 Min Order：10
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  • Model：RTR025N03
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB 05+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：QZ
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current2.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.092Ω/Ohm @2.5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & Applications2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance. Space saving−small surface mount package (TUMT3). Low voltage drive (2.5V drive).
描述与应用2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 节省空间的小型表面贴装封装（TUMT3）。 低电压驱动

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RTR025N03
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