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  • Model：S852TWW
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：W52
  • Package：SOT-323/SC-70

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		12V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		6V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		8mA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		5.2GHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		90
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		100mV/0.1V
耗散功率Pc
Power Dissipation		30mW
Description & ApplicationsFeatures • Silicon NPN Planar RF Transistor • Low supply voltage • Low current consumption • 50 Ω input impedance at 945 MHz • Low noise figure • High power gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications • For low noise and high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.2 mA to 5 mA.
描述与应用特点 •硅NPN平面RF晶体管 •低电源电压 •低电流消耗 •50Ω输入阻抗在945 MHz •低噪声系数 •高功率增益 •铅（Pb）免费组件 •组件按照RoHS 2002/95/EC和WEEE2002/96/EC 应用 •适用于低噪声和高增益宽带放大器集电极电流0.2毫安〜5毫安。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
S852TWW
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