集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 15V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 4.5V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 35mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 25GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 50~150 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 100mW/0.1W |
| Description & Applications | Features • NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor • Low noise : NF=1.1dB typ (f=1.8GHz). • High cut-off frequency : fT=20GHz typ (VCE=1V).: fT=25GHz typ (VCE=3V). • Low voltage operation. • High Gain : S21e2=17dB typ (f=1.8GHz). • Ultrasmall (1006 size), thin (0.5mm) leadless package. • UHF to C Band Low Noise Amplifier,Low Phase Noise Oscillation Applications |
| 描述与应用 | 特点 •NPN平面外延硅晶体管 •低噪音：NF=1.1分贝典型值（F =1.8GHz的）。 •高截止频率：FT =20GHz的典型值（VCE=1V）。：FT=25GHz的典型（VCE=3V）。 •低电压操作。 •高增益：S21E2=17分贝典型值（F =1.8GHz的）。 •超小（1006尺寸），薄（0.5mm）的无铅封装。 •UHF到C波段低噪声放大器，低相位噪声振荡应用 |