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  • Model：SI2301DS
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：R1
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.105Ω @-2.8A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsP-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
描述与应用P沟道1.25-W，2.5-V MOSFET

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2301DS
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