Please log in first
Home
Cart0
Inventory:800 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SI2312BDS-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：M2
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.057Ω/Ohm @3.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1V
耗散功率Pd Power Dissipation1.25W
Description & ApplicationsTrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested
描述与应用功率MOSFET 100％的Rg测试

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2312BDS-T1-GE3
*Title：
Message：
*Code：