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  • Model：SI5903DC-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0512NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DAFAA
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		260mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1.7A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.1W
Description & ApplicationsDual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
描述与应用双P沟道2.5-V（G-S）的MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI5903DC-T1-E3
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