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Inventory:6000 Min Order：10
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  • Model：SM2N7002E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：S72
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current250mA/0.25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3Ω/Ohm @250mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET Low Threshold Load Switch for Portable Devices Low Power Consumption Increased Battery Life • Ultra Low Voltage Load Switch Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High input impedance High speed switching
描述与应用1.2-V的N沟道MOSFET（G-S） 用于便携式设备的低阈值负荷开关 - 低功耗 - 延长电池寿命 •超低电压负荷开关 先进沟道工艺技术 高密度电池设计超低导通电阻 高输入阻抗 高速开关

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SM2N7002E
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