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Inventory:1150 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：SSM6P05FU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB 06+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DH
  • Package：SOT-363/SC70-6/UF6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-200mA/-0.2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		3300mΩ@ VGS = -4V, ID = -100mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6~-1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ●Power Management Switch ●High Speed Switching Applications ●Small package ● Low on resistance : Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = −4 V) Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) Low gate threshold voltage
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型  ●电源管理开关  ●高速开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =3.3Ω（最大）（@ VGS=-4 V） RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS=-2.5 V） 低栅极阈值电压

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6P05FU
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