集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 80V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 100 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 250mV/0.25V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Features •NPN General Purpose Transistor •BVCEO < 80V.( IC=1mA) •Complements the SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56 |
| 描述与应用 | 特点 •NPN通用晶体管 •BVCEO<80V（IC=1MA） •补充SSTA56/ MMSTA56，/ MPSA56 |