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Inventory:56 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：T3055EL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：700
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：T3055EL
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage15V
最大漏极电流Id Drain Current1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.18Ω/Ohm @750mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & ApplicationsN–Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS E–FET SOT–223 for Surface Mount
描述与应用N沟道增强模式 硅栅TMOS E-FET SOT-223表面贴装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
T3055EL
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