Please log in first
Home
Cart0
Inventory:18000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：TBB1008HMTL-E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+NOPB 04+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：HM
  • Package：SOT-363

Drain-Source Voltage (Vds)  6V

Vgs(±)

Gate-Source Voltage

  
Drain Current  （Id）  30MA

Rds(on)

Drain-Source On-State Resistance

  

Vgs(th)

Gate-Source Threshold Voltage

  
Power Dissipation  (Pd)  
Description & Applications  Twin Build in Biasing Circuit MOS FET IC 
VHF/UHF RF Amplifier
Technical Documentation Download Read Online

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TBB1008HMTL-E
*Title：
Message：
*Code：