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Inventory:1650 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：TM3055
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：700
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：3055
  • Package：TO-252/TP-FA

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.15Ω/Ohm @4A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.95-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsN- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Features and Applications • Low ON-state resistance. • 4V drive.
描述与应用N沟道硅MOS FET 非常高速开关 •低通态电阻。 •4V驱动器

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TM3055
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