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Parameters
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Parameters：

  • Model：UMF6N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04NOPB1RM 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：F6
  • Package：SOT-363/UMT6/SC-88

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		MOSFET N-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		30V
最大漏极电流Id
Drain Current		20V
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		100mA/0.1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		8000mΩ@ VGS = 4V, ID = 10mA
耗散功率Pd
Power Dissipation		20ms@VDS=3V，Id=10mA
Description & Applications
描述与应用0.8~1.5V

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
UMF6N
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