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Inventory:4672 Min Order：100
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Parameters：

  • Model：UP0487C0VL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB
  • Standard Package：8000
  • Min Order：100
  • Mark/silk print/code/type：2V
  • Package：SOT-563

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		4Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.4~1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		125mW/0.125W
Description & ApplicationsSilicon N-channel MOSFET For switching ■ Features •High-speed switching • Incorporating a built-in gate protection-diode •Two elements incorporated int one package(Each transistor is separated) •Mini type package, reduction of the mounting area and assembly cost
描述与应用硅N沟道MOSFET 对于开关 ■特点 •高速开关 •集成了内置栅极保护二极管 •两个元素注册成立的第一个包（每个晶体管分离） •迷你型包装，减少安装面积和装配成本

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
UP0487C0VL
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