集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 210MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 260 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 100mV/0.1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | •LOW FREQUENCY TRANSISTOR (50V,2A) *Low Saturation Voltage, Typically VCE(SAT)=0.1V at IC / IB=1A / 50mA *Excellent DC Current Gain Characteristics |
| 描述与应用 | •低频晶体管（50V，2A） *低饱和电压，通常VCE（SAT）= 0.1V IC / IB=1A /50毫安的 *优秀的DC电流增益特性 |