Please log in first
Home
Cart0
Inventory:211000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：V30324-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB 06+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PAB
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		700mA/0.7A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		385mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 660mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		300mW/0.3W
Description & ApplicationsDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS: 2.5 V Rated
描述与应用双N沟道20-V（D-S）的MOSFET 特点 •TrenchFET®功率MOSFET：2.5 V额定

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
V30324-T1-E3
*Title：
Message：
*Code：