| 三极管BJT类型 TYPE | PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -15V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -15V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -2.5A |
| 三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 180MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | -100mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -270~-320mV |
| 二极管DIODE类型 TYPE | 肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage | 20V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current | 1A |
| 二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf) | 450mV |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 600mW |
| Description & Applications | Features • Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD) • Two elements incorporated into one package (Tr + SBD) • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Applications • For DC-DC converter |
| 描述与应用 | 特点 •PNP硅外延平面型（TR）硅外延平面型（SBD） •两个要素纳入一个封装（TR + SBD） •减少安装面积和装配成本的一半 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat） 应用 •对于DC-DC转换器 |