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  • Model：XP4878
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：7Y
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		7V
最大漏极电流Id
Drain Current		100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		12Ω@ VGS = 4.0V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.9~1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-channel MOSFET For switching ■ Features • Allowing 2.5 V drive • Incorporating a built-in gate protection-diode • S-Mini type 6-pin package, reduction of the mounting area and assembly cost by one half
描述与应用硅N沟道MOSFET 对于开关 ■特点 •允许2.5 V驱动器 •集成了内置栅极保护二极管 •S-迷你型6引脚封装，安装面积减少 汇编一半的费用

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
XP4878
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