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  • Model：XP162A12A6PR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：21
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.13Ω @1-1.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.5--1.2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsLow On-State Resistance : Rds(on) = 0.17Ω@ Vgs = -4.5V Rds(on) = 0.3Ω@ Vgs = -2.5V Ultra High-Speed Switching Dribing Voltage : -2.5V Gate Protect Diode Built-in P-Channel Power MOSFET DMOS Structure Small Package
描述与应用低导通电阻：RDS（ON）=0.17Ω@ VGS=-4.5V RDS（ON）=0.3Ω@ VGS=-2.5V 超高速开关 Dribing电压：-2.5V 内置栅极保护二极管 P沟道功率MOSFET DMOS结构式 小包装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
XP162A12A6PR
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