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Inventory:500 Min Order：10
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  • Model：RTF015N03
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PP
  • Package：SOT-323/SC-70/UMT3

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.24Ω/Ohm @1.5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & ApplicationsSwitching (30V, 2.5A) Silicon N-channel MOS FET Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT3) .
描述与应用开关（30V，2.5A） 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管 小和表面贴装封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RTF015N03
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