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Inventory:16800 Min Order：10
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  • Model：2SK771
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+1rnopb 05+NOPB100
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：FJ5
  • Package：SOT-23/SC-59/CP

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		6~32ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -2.5v
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & Applications•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Variable resistors, analog switches, AF amplifier, constant-current circuit. Features Adoption of FBET process. Ultrasmall-sized package permitting sets to be made smaller and slimmer.
描述与应用•场效应晶体管的硅N沟道结型 低频通用 放大器的应用 应用 可变电阻器，模拟开关，AF放大器， 恒流电路。 特点 通过过程FBET。 超小尺寸封装，允许集 体积更小，更薄。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK771
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