集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 280MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~800 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 40mV |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 600mW/0.6W |
| Description & Applications | Silicon NPN epitaxial planar type For DC-DC converter ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing |
| 描述与应用 | NPN硅外延平面型 用于DC-DC转换器 ■特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和） •迷你型包装，使瘦身的设备和 通过自动插入磁带包装 |