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Inventory:7200 Min Order：10
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  • Model：2SK3290BNTL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 04+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BN
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.455Ω/Ohm @250mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.3-2.3V
耗散功率Pd Power Dissipation400mW/0.4W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Low on-resistance RDS= 0.455 Ω typ (VGS=10V , ID = 250 mA) RDS=0.9 Ω typ(VGS= 4 V , ID = 100 mA) 4 V gate drive device Small package (MPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关 低导通电阻 RDS=0.455Ω（典型值）（VGS= 10V，ID=250毫安） RDS=0.9Ω（典型值）（VGS=4 V，ID= 100毫安） 4 V栅极驱动装置 小型封装（MPAK）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3290BNTL
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