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  • Model：SI1900DL-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB 06+PB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：PBS
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		590mA/0.59A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		700mΩ@ VGS =4.5V, ID =200mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		270mW/0.27W
Description & ApplicationsDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用双N沟道30-V（D-S）的MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1900DL-T1-E3
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