Please log in first
Home
Cart0
Inventory:22600 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：PMGD780SN
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05NOPB 05+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：D7
  • Package：SOT-363/SC70-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		490mA/0.49A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		1.4Ω@ VGS =4.5V, ID =75mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		990mW/0.99W
Description & ApplicationsDual N-channel Trench MOS standard level FET Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Standard level threshold voltage Fast switching Low on-state resistance Dual device. Applications Driver circuits Switching in portable appliances
描述与应用双N沟道的海沟MOS标准水平FET 描述 双N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 沟槽MOS的技术。 特点 表面贴装封装 底印比SOT23小40％ 标准电平阈值电压 快速开关 低通态电阻 双设备。 应用 驱动电路 在便携式电器开关

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
PMGD780SN
*Title：
Message：
*Code：