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Inventory:200 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI2307BDS
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+NOPB 06+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：L7
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id
Drain Current
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.061Ω @-3.2A,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		2.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsP-Channel 30-V (D-S) MOSFET P-Channel Vertical DMOS Macro Model (Subcircuit Model) Level 3 MOS
描述与应用P沟道30-V（D-S）的MOSFET P沟道垂直DMOS 宏模型（子电路模型） 级别3 MOS

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI2307BDS
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