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  • Model：SI1021R-T1-GE3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：10nopb
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：FWA
  • Package：SOT-523/SC-75A/SC-89

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-190mA/-0.19A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		4Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1--3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		250mW/0.25W
Description & ApplicationsFEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET Power MOSFETs • High-Side Switching • Low On-Resistance: 4 Ω • Low Threshold: - 2 V (typ.) • Fast Switching Speed: 20 ns (typ.) • Low Input Capacitance: 20 pF (typ.) • Miniature Package • ESD Protected: 2000 V
描述与应用 •无卤股权 •的TrenchFET 功率MOSFET •高边开关 •低导通电阻：4Ω •低阈值： - 2 V（典型值） •开关速度快：20 ns（典型值） •低输入电容20 PF（典型值） •微型包装 •ESD保护：2000 V

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1021R-T1-GE3
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