Please log in first
Home
Cart0
Inventory:2500 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：RK7002A
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：03+ 04+1.6KROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：RKS
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1.0Ω/Ohm @300mA,10v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & Applications4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET transistor Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel.
描述与应用4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET晶体管 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
RK7002A
*Title：
Message：
*Code：