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Inventory:376000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI3911DV-T3-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06+10Knopb 06+NOPB370KM
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：11
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1.8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		300mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		830mW/0.83W
Description & ApplicationsDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用双P沟道20-V（D-S）的MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3911DV-T3-E3
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