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Inventory:42000 Min Order：10
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  • Model：2SK3783
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB 06NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BH
  • Package：4pXSLP04/1006

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		0.21~0.35ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage		 -0.37~-1v
耗散功率Pd
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET •High gain −0.5 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 kΩ) • Low noise −109 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 kΩ) t = 0.3 mm TYP.
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 •高增益 -0.5分贝（VDS=2.0 V，C =5 pF的，RL=2.2kΩ的） •低噪音 -109分贝（VDS=2.0 V，C =5 pF的，RL=2.2kΩ上）  T =0.3毫米TYP。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3783
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